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Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://hdl.handle.net/10495/7998
Título : Nonstoichiometry and hole doping in NiO
Autor : Osorio Guillén, Jorge Mario
Lany, Stephan
Zunger, Alex
Palabras clave : Óxido de níquel
Energías de formación
Defectos intrínsecos
Niveles de defectos
Dopaje de agujeros
Fecha de publicación : 2010
Editorial : The American Physical Society
Citación : Osorio Guillén, J. M., Lany, S., & Zunger, A. (2010). Nonstoichiometry and hole doping in NiO. AIP Conference Proceedings. 1199(1), 128-129.DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3295330
Abstract : We have study by means of DFT+U and thermodynamic calculations the doping response of the p-type transparent oxide NiO. We have found from the calculated defect formation enthalpies that Ni vacancy, not the O interstitial, is the main source of nonstoichiometry in NiO. On the other hand, the calculated free-hole concentration at room temperature of pure NiO remains very low compared to the concentration of Ni vacancies; this is due to the too large ionization energy of the Ni vacancy. The free-hole concentration can be strongly increased by extrinsic dopants with a more shallow donor as it is illustrated for the case of Li.
Grupo de INV. : Ciencia de los Materiales
URI : http://hdl.handle.net/10495/7998
ISSN : 1551-7616
Aparece en las colecciones: CIEN (Centro de Investigaciones en Ciencias Exactas y Naturales)

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